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晶體管

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FDV301N

型號：FDV301N
功能類別：晶體管 ,

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產(chǎn)品參數(shù)

【型號】: FDV301N

【封裝】: SOT23

【品牌】: ON Semiconductor

【包裝】:3000

【品質(zhì)】:

FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）	220mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）	4 歐姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	1.06V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）	0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）	9.5pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	350mW（Ta）
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝	SOT-23
封裝/外殼	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 25V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 220mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.06V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 0.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

業(yè)務(wù)咨詢
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