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晶體管

產(chǎn)品中心

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FDMS86201

型號：FDMS86201
功能類別：晶體管 ,

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產(chǎn)品參數(shù)

【型號】: FDMS86201

【封裝】: POWER56

【品牌】: ON Semiconductor

【包裝】:3000

【品質(zhì)】:

FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	120V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）	11.6A（Ta），35A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）	11.5 毫歐 @ 11.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）	46nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）	2735pF @ 60V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），104W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝
供應商器件封裝	8-PQFN（5x6）
封裝/外殼	8-PowerTDFN

百分百全新原廠原裝正品

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 120V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11.6A（Ta），35A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 11.5 毫歐 @ 11.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 46nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2735pF @ 60V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），104W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 8-PQFN（5x6）

封裝/外殼 8-PowerTDFN

業(yè)務(wù)咨詢
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